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用途： 1.適用于低飽和場、低Hc磁性薄膜材料的磁性能研究，尤其是其不存在電磁鐵類的鐵芯剩磁效應而可以準確定出H=0的點，使其特別實用于鐵磁/反鐵磁界面的磁性釘扎效應研究，諸如釘扎型自旋閥薄膜、釘扎型磁性隧道結結構的薄膜、AMR效應的玻莫合金磁性膜等。
2.由于此設備中的檢測線圈可以在不用時任意抬起而使其不占有效磁場的空間，從而可充分利用該設備的磁場作諸如AMR、GMR、JMR等磁電阻特性測量。
3.此設備適用軟磁薄膜的磁特性測量，也可作為研究生的磁性測量實驗，可給學生灌輸諸如Ms、ós、Mr、Hc、Hs、Hd等許多磁學概念，開闊學生的知識面。
型號規格： LH-3型
技術指標： 最大磁場Hmax(Oe) 靈敏度（emu） 掃描電源輸出
±400 3～4×10-5 10A(5Ω)
特點： 1.磁場線圈由掃描電源激磁，產生Hmax＝±400Оe的磁化場，其掃描速度和幅度均可自由調節。磁化場的大小和方向是用激磁電流取樣值加以標度，以保證磁場測量更準確。掃描電流輸出的激磁電流，其大小、方向等均由相關電壓控制，無任何機械部件，故可實現磁化場的平滑過零功能。
2.振動頭具有雙級減振結構，可有效阻斷振子與外界的振動偶聯；用低頻信號振蕩器進行驅動，使其振幅可達2mm左右。具有三維調節功能，可準確地將樣品調整到檢測線圈鞍部區。
3.檢測線圈采用全封閉型四線圈無凈差式，具有較強的抑制噪音能力和大的有效輸出信號，保證了整機的高分辨性能。
4.在配備進口Lock-in的情況下，經統調后此種LH-3型VSM的最高靈敏度，在檢測線圈間距為20mm的情況下，可達3-4×10-5emu(注：此為動態測試)。
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